2024.11《第一百期》
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次世代電阻式記憶元件切換機制與新穎超臨界流體技術之研究

 

博士論文名稱

次世代電阻式記憶元件切換機制與新穎超臨界流體技術之研究

學校/科系

國立中山大學/材料與光電科學學系研究所

研究生姓名

施志承/105學年度

指導教授

蔡宗鳴

中文關鍵詞

超臨界流體氮化處理技術、相對介電常數、電阻切換機制、氧電漿、電阻式記憶體、氧濃度梯度

 



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